[지디넷코리아]
SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 21조6000억원 규모의 추가 투자를 확정지었다. 빠르게 증가하는 글로벌 고객사 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 투자금은 팹 전체 클린룸 구축에 활용될 예정이다.
SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 페이즈2~6을 건설한다고 25일 밝혔다.
총 투자규모는 약 21조6000억원이다. 회사의 전체 자기자본 대비 29.23%에 해당한다. 투지기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지다.
앞서 SK하이닉스는 지난 2024년 7월 용인 클러스터 1기 팹 건설에 약 9조4000억원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려한 전체 투자 규모는 31조원에 달한다.
이번 투자는 빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정이다. AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업의 확산으로 고성능·고집적 반도체에 대한 수요는 구조적으로 확대되고 있다.
SK하이닉스는 “변화에 발맞춰 생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련하고자 한다”고 설명했다.
구체적으로 이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈 2부터 페이즈 6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는데 활용될 예정이다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 이를 통해 물리적 생산 기반을 선제적으로 확보해 고객 대응 역량을 강화할 수 있을 것으로 기대된다.
클린룸 오픈 시점도 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 것으로 예상된다.