[지디넷코리아]
삼성전자 제4 평택캠퍼스(P4)향 설비투자가 마무리 단계에 접어들었다. 총 4개 구역(페이즈·ph) 중 아직 투자가 집행되지 않았던 2개 구역에 대해 지난달 제조설비를 발주한 것으로 파악됐다.
해당 라인은 삼성전자의 최첨단 D램 공정인 1c(6세대 10나노급) D램 양산을 전담한다. 1c D램은 삼성전자 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 코어 다이로서, 엔비디아 등 글로벌 빅테크향 사업의 핵심 요소로 주목받고 있다.
6일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 최근 P4 내 ph2·ph4 2개 동에 대한 전공정 설비를 일괄 발주했다.
P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹이다. 당초 D램과 낸드, 파운드리를 모두 양산하는 종합 팹으로 설계됐으나, 시황 등의 이유로 대부분의 생산능력이 D램에 할당됐다. 그 중에서도 가장 최첨단 공정 기반의 1c(6세대 10나노급) D램을 양산한다.
P4는 총 4개의 ph로 나뉜다. 구축 순서는 1-3-4-2다. 가장 먼저 구축된 ph1은 이미 모든 투자가 완료됐다. ph3도 지난해 하반기부터 투자가 진행돼, 현재 대부분의 설비 셋업이 마무리된 상황이다.
올해에는 남은 ph4·ph2에 전공정(반도체 웨이퍼에 회로를 새기기 위한 공정) 설비투자가 활발히 진행될 예정이다. 복수의 장비업계 관계자에 따르면, 삼성전자는 지난달 말 ph4·ph2용 전공정 설비에 대한 구매주문(PO)서를 발행했다.
이에 따라 ph4에는 오는 5~6월부터 전공정 설비가 도입될 계획이다. ph2에는 11월께 설비 도입이 예정돼 있다. ph2에 설비 도입을 위한 클린룸 구축 작업도 올 1분기 이미 시작됐다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 오염도 등 제반 요소를 제어하는 인프라 시설이다. 전공정 설비를 투입하기 전에 필수적으로 설치해야 한다.
이번 PO 발주로 삼성전자 P4의 구축 일정이 명확해졌다. 삼성전자는 전세계 AI 인프라 투자로 촉발된 반도체 슈퍼사이클에 적기 대응하기 위해, 최근 신규 및 전환 설비투자에 속도를 내고 있다.
실제로 P4 ph2용 전공정 설비는 당초 연말 발주, 실제 도입은 내년에 이뤄질 것으로 관측돼 왔다. 이를 고려하면 실제 도입 일정이 2개월 가량 빨라진 셈이다.
특히 1c D램은 회사의 고부가 메모리 사업의 핵심 축을 맡고 있다. 삼성전자는 올해 양산을 본격화한 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채택했다. 덕분에 삼성전자는 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4에서 가장 높은 성능을 달성했다는 평가를 받고 있다.
올해 삼성전자 1c D램의 생산능력은 P4 ph3 구축분까지 반영될 전망이다. 수치로는 월 13만~14만장 수준이다. ph2에 전공정 설비 셋업이 완료되는 시점은 내년 1분기께다. 내년 진행될 P3와 화성 17라인 내 1c D램 전환 투자까지 합산하면, 생산능력은 지속적으로 늘어날 것으로 전망된다.
반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 최근 협력사에 ph2용까지 설비를 미리 발주할 만큼 설비투자에 적극적인 의지를 보이고 있다”며 “고부가 D램이 AI 산업에서 각광받고 있고, 최근 발생한 전쟁에 따른 불확실성을 피하기 위해 미리 투자를 준비하는 분위기”라고 설명했다.