[지디넷코리아]
SK하이닉스가 올해 고대역폭메모리(HBM) 사업의 견조한 성장세를 자신했다. 올해 HBM 출하량은 당초 계획에서 변동이 없을 예정이며, 차세대 제품인 HBM4E(7세대 HBM) 샘플도 연내 개발이 완료될 전망이다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 25일 이천 본사에서 열린 제 78기 정기주주총회에서 이같이 밝혔다.
이날 곽 사장은 “SK하이닉스의 2025년도 HBM 매출은 전년 대비 2배 이상 확대됐다”며 “동시에 HBM4 기술 개발에 성공하고 선제적인 양산 기반을 확립하는 등 차세대 HBM에서도 업계 기술 리더십을 이어가고 있다”고 강조했다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 차세대 메모리다. 현재 6세대 제품인 HBM4까지 상용화에 이르렀다. 특히 SK하이닉스는 핵심 고객사인 엔비디아향으로 HBM4를 양산하고 있다.
올해 HBM 사업에 대해서도 견조한 성장세를 전망했다. 곽 사장은 “약간의 믹스 조정은 하고 있으나, 당초 계획했던 전체 HBM 출하량에서 큰 변화는 없다. 하반기부터 HBM4 점유율이 많이 올라올 것”이라며 “현재 고객들과 논의해 HBM을 비롯한 메모리반도체의 최적의 공급 비율을 맞추고 있다”고 설명했다.
차세대 제품인 HBM4E도 연구개발을 진행 중이다. HBM4E는 내년 양산이 본격화될 것으로 예상되는 HBM으로, 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈 울트라’에 탑재된다.
곽 사장은 “HBM4E는 정확한 시점을 말씀드릴 수 없으나 원래 계획하고 있던 대로 올해 안에 샘플을 만들어내기 위해 준비 중”이라고 말했다.